刘宏伟

信息来源:王慧泉发布日期:2016-06-05浏览次数:150

个人简历

刘宏伟


职称:副教授
导师类型:硕导
所属实验室:天津工业大学半导体照明工程中心
电话:022-83955531
E-Mail:liuhongwei@hiyu-led.com
专业:电子科学与技术
研究方向一:半导体照明技术技术研究
研究方向二:硅基光电集成技术研究
研究方向三:表面等离子体激元技术研究
学习经历:
2007.9-2010.6:中科院半导体研究所 微电子与固体电子学专业,博士研究生
2003.9-2006.3:天津工业大学 物理电子学专业,硕士研究生
1999.9-2003.7: 天津工业大学 电子信息工程专业,本科
工作经历:
2006.3至今:天津工业大学 电子与信息工程学院
讲授主要课程:
化合物半导体器件/化合物半导体高速集成电路
代表性论文:
[1] LIU Hong-Wei,KAN Qiang,WANG Chun-Xia,HU Hai-Yang,XU Xing-Sheng,
CHEN Hong-Da , Light Extraction Enhancement of GaN LED with a
Two-Dimensional Photonic Crystal Slab,CHINESE PHYSICS LETTERS, 28(5),
2011
[2] Hongwei Liu, Qiang Kan, Chunxia Wang, Feng Yu, Xingsheng Xu, Hongda Chen,
Light extraction of GaN LEDs with 2-D photonic crystal structure,CHINESE
OPTICS LETTERS, 7 (10) ,2009
[3] Guo Weilian; Niu Pingjuan; Li Xiaoyun; Liu Hongwei; Gu Xiao; Mao Luhong;
Zhang Shilin; Chen Yan; Wang Wei, Logic Circuits Composed by CMOS NDR
Elements and Their Development Prospect,Micronanoelectronic Technology, 47
(8),2010
[4] 於丰,许兴胜,阚强,王春霞,刘宏伟,陈弘达,“光栅辅助的表面波传感
器研究”,量子电子学报,27(1), 2010
[5] Niu PJ, Wang XL, Guo WL, Luo HY, Fu XS, Liu HW, Li XY , The fabrication of
high-brightness and high-power InGaAlP single-side red LED,LIGHT-EMITTING
DIODE MATERIALS AND DEVICES II,6828,2007
[6] Hongwei Liu, Pingjuan Niu, Haiyang Hu, Hongda Chen. A new golden bump
making method for high power LED flip chip. Proceeding of SPIE,2008, 6828:
682810
[7] HaiYang Hu, Lin Lu, Wei Du, Hongwei Liu, Qiang Kan, Chunxia Wang,
Xingsheng Xu, Hongda Chen, Novel photonic crystal structure GaN-based
light-emitting diodes, Proceedings of the SPIE, 6841: 68410J-1-4, 2007
[8] Li Xiaoyun; Wang Wei; Niu Pingjuan; Guo Weilian; Liu Hongwei; Yang
Guanghua; Yu Xin; Li Huan,The design and simulation of same Si-based device used
as both LED and PD,Proceedings of the SPIE,683826(9),2007
[9] Wei-Lian Guo; Wei Wang; Ping-Juan Niu; Xiao-yun Li; Xin Yu; Lu-hong Mao;
Hongwei Liu; Guang-hua Yang; Rui-liang Song,CMOS-NDR transistor,2008 9th
International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit Technology (ICSICT),
4734479,2008
申请专利
[1] 刘宏伟,刘春影,阚强,金属等离子体激元耦合发光增强硅基LED 及其制
作方法,2013,中国,申请号:201310548138.0
[2] 刘宏伟,阚强,王春霞,陈弘达,一种利用光谱强度变化检测介质折射率变
化的装置,2010,中国,申请号201010139176.7
[3] 刘宏伟,阚强,王春霞,陈弘达,一种制作纳米压印印章的方法,2010,中
国,申请号:201010139179.0
[4] 於丰, 阚强,许兴胜, 王春霞, 刘宏伟, 陈弘达,利用全反射角的改变进行传
感的折射率传感方法,2008,中国,申请号:200810240936.6
[5] 牛萍娟,刘宏伟,胡海蓉,功率性LED 封装装置,2005,中国,专利号
CN200520025935.1
[6] 牛萍娟,贾海强,刘宏伟,带有低熔点凸点的倒装焊接结构及制作方法,2005,
中国,专利号CN200510015208.1
代表性科研项目:
1、国家自然科学基金青年项目,11404239,金属光子晶体增强硅基LED发光关键技术研究,2015.01-2017.01,30万元,在研,主持。
2、国家自然科学基金面上项目, 阵列波导光栅解调系统异构集成的关键技术研究,2012.1-至今,70万元,在研,参与。
3、国家高技术研究发展计划,多通道高效率SOI基光子晶体波分复用器,2009.5-2011.12,100万元,结项,参与。
4、国家自然科学基金青年项目,与CMOS工艺兼容硅基PERL结构发光二极管研究,2008.1-2010.12,24万元,结项,参与。
5、天津市应用基础研究计划重点项目,氮化镓基发光二极管器件制备关键技术研究,2004.1-2006.12,15万元,结项,参与。
6、天津市科技攻关培育项目,白色大尺寸GaN基LED器件研究,2003.1-2005.9,20万元,结项,参与。
获奖情况:
[1] 刘宏伟,大功率LED 路灯,天津市科技进步奖三等奖,2010 年